DMT6016LSS 是一款基于 DMOS 工艺制造的高端功率 MOSFET,采用小型化 LSS 封装形式。该芯片专为高效能开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用而设计,具备低导通电阻和高切换速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统效率。
其内部结构采用了先进的沟槽式技术,优化了栅极驱动性能,同时降低了寄生电感的影响,使其在高频工作条件下表现优异。此外,DMT6016LSS 还具有出色的热性能和可靠性,适用于各种严苛的工作环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:16A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:35nC
开关频率:最高支持 2MHz
封装形式:LSS
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
DMT6016LSS 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高效的开关性能,适合高频应用场合。
3. 内置静电防护(ESD)保护电路,增强器件的鲁棒性。
4. 支持超宽的工作温度范围,适应工业级和汽车级应用需求。
5. 小型化封装,节省 PCB 空间,简化布局设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
DMT6016LSS 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 汽车电子系统中的负载控制和电机驱动。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
5. 笔记本电脑适配器及 LED 照明驱动电路。
6. 各类便携式电子设备的高效电源管理方案。
DMT6016LSSB, IRF6614, FDP5802