CEG23911MDCB000是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。此外,它具备优异的热特性和电气稳定性,使其在高电流和高频应用中表现出色。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:65nC
开关速度:超快恢复
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247
CEG23911MDCB000的主要特点是其极低的导通电阻(1.5mΩ),这使得它非常适合用于大电流应用场景,并能有效减少功率损耗。
其次,该器件具有快速的开关速度和较低的栅极电荷,这有助于提高系统的效率并降低电磁干扰。
此外,其出色的热特性和宽泛的工作温度范围(-55℃至175℃)确保了其在极端环境下的可靠运行。
最后,其坚固耐用的设计使其能够在高频和高压条件下保持稳定性能。
CEG23911MDCB000适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. 电动车辆的牵引逆变器
5. 工业自动化设备中的功率转换模块
6. 不间断电源(UPS)系统
7. LED照明驱动器
这些应用都得益于其高效、低损耗及高可靠性特点。
CEG23910MDCA000
IRF7728
FDP5500
IXFN40N06P3