SSH8N90 时间：2025/8/24 18:05:40 阅读：4

SSH8N90是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用，例如电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及逆变器等。该器件采用了先进的工艺技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，可有效降低导通损耗并提高整体系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A
　　最大功耗(Pd)：83W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.95Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（具体取决于制造商）

特性

SSH8N90具有多项关键特性，使其适用于高功率电子设备的设计。首先，其高耐压能力（900V Vds）使其非常适合高压电源应用，例如离线开关电源（Off-line SMPS）和高压DC-DC转换器。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.95Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该器件支持较高的栅源电压（±20V），具备较强的驱动能力和稳定性，适用于高频开关应用。
　　另一个重要特性是其热性能优异，能够承受较高的工作温度（最高+150°C），从而提高系统的可靠性和耐用性。同时，该器件采用TO-220或D2PAK封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。SSH8N90还具备快速开关特性，可减少开关损耗，提升系统效率，适合用于逆变器、马达驱动及LED照明电源等应用。

应用

SSH8N90广泛应用于多种高功率电子系统中。其中，最典型的应用是开关电源（SMPS），例如AC/DC转换器和DC/DC转换器，其高耐压能力和低导通电阻使其成为理想的功率开关器件。此外，它也适用于LED照明驱动电源，特别是在高电压输入条件下，能提供稳定的输出和高效的能量转换。
　　在工业控制领域，SSH8N90可用于电机驱动、逆变器和UPS（不间断电源）系统，确保设备在高压环境下稳定运行。同时，该MOSFET也可用于家用电器的电源管理模块，如变频空调、电磁炉等，提高能效并降低发热。由于其良好的高频开关性能，SSH8N90也常用于谐振变换器和ZVS（零电压开关）拓扑结构中，以实现更高的转换效率。