时间：2025/7/1 16:41:30
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S-1112B28PN-L6NTG 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的封装工艺，速度和出色的热性能，广泛适用于电源管理、无线充电、DC-DC转换器以及工业自动化等领域。
该型号属于 S 系列 GaN 器件，结合了高效率和紧凑尺寸的优点，能够显著提升系统的整体性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻：28mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：高达 5MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：LGA-6
S-1112B28PN-L6NTG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级的工作频率，非常适合高频应用。
3. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
5. 出色的热性能，确保在高功率运行时的稳定性。
6. 完全兼容传统 MOSFET 的驱动电路，便于设计升级。
这款功率晶体管广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电模块
4. 工业电机驱动
5. 通信基础设施中的功率放大器
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 可再生能源系统中的逆变器
其卓越的性能使得 S-1112B28PN-L6NTG 成为高效率、高密度功率转换解决方案的理想选择。
S-1112B30PN-L6NTG
S-1112B25PN-L6NTG
