时间：2025/6/30 10:46:36
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LDTD113ZLT1G 是一款高性能的 N 治金场效应晶体管（NMOS），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动和电信设备等领域。
该型号特别优化了在高温环境下的稳定性，并提供紧凑型封装以满足现代电子设计对小型化的要求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
LDTD113ZLT1G 具有出色的电气性能和机械设计，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场景，减少开关损耗。
3. 高度可靠的设计，支持长期在极端温度条件下运行。
4. 提供卓越的热性能，有助于简化散热设计。
5. 紧凑型封装，易于集成到各种电路板布局中。
这款 NMOS 器件适用于多种电力电子场景，典型应用包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
3. 电机驱动中的逆变桥组件。
4. 可再生能源系统中的 DC/DC 和 DC/AC 转换器。
5. 电信基础设施中的高效功率分配模块。
LDTD112ZLT1G, IRFZ44N, FDP17N60C
