时间：2025/5/22 0:33:16
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SI9802DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关以及 DC-DC 转换等应用。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效率的电力电子设计中具有优异表现。
该 MOSFET 的工作电压范围宽广，支持高达 60V 的漏源极电压，并具备出色的热稳定性和鲁棒性，适用于工业和消费类电子产品中的各种场景。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：17nC（典型值）
开关速度：快速
封装类型：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI9802DY-T1-GE3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关性能，能够满足高频电路设计需求。
3. 高度可靠的短路耐受能力，增强了器件的耐用性。
4. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代绿色设计要求。
6. 紧凑的 DPAK 封装形式，便于安装与散热设计。
该 MOSFET 可应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载控制。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和保护电路。
4. 消费类电子产品的负载开关和过流保护。
5. 电信设备中的 DC-DC 转换模块。
6. 各种便携式设备中的高效功率转换方案。
SI9803DY, SI4486DY, FDP018N06L
