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NJVMJD45H11T4G 发布时间 时间:2025/5/28 20:12:54 查看 阅读:9

NJVMJD45H11T4G是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频条件下实现高效能表现。
  该型号为N沟道增强型MOSFET,广泛应用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):23A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):270W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

NJVMJD45H11T4G具有非常低的导通电阻,能够显著减少功率损耗并提升系统效率。
  该器件具备快速开关性能,适用于高频应用场景。
  其高雪崩击穿能力和强鲁棒性使其在恶劣环境下依然保持稳定运行。
  此外,该MOSFET还支持超低电荷设计,进一步优化了动态性能,从而降低了开关损耗。
  由于采用了TO-247封装,它具有良好的散热性能,适合大功率应用。

应用

开关电源(SMPS)
  电机驱动与控制
  负载切换
  逆变器和转换器
  不间断电源(UPS)
  电池管理系统(BMS)
  汽车电子设备中的各种功率控制模块

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NJVMJD45H11T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换90MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)