时间：2025/5/28 20:12:54
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NJVMJD45H11T4G是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下实现高效能表现。
该型号为N沟道增强型MOSFET，广泛应用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：23A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ(典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：270W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
NJVMJD45H11T4G具有非常低的导通电阻，能够显著减少功率损耗并提升系统效率。
该器件具备快速开关性能，适用于高频应用场景。
其高雪崩击穿能力和强鲁棒性使其在恶劣环境下依然保持稳定运行。
此外，该MOSFET还支持超低电荷设计，进一步优化了动态性能，从而降低了开关损耗。
由于采用了TO-247封装，它具有良好的散热性能，适合大功率应用。
开关电源(SMPS)
电机驱动与控制
负载切换
逆变器和转换器
不间断电源(UPS)
电池管理系统(BMS)
汽车电子设备中的各种功率控制模块
