RF5605SR 时间：2025/8/16 3:32:56 阅读：8

RF5605SR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的射频（RF）功率晶体管，属于金属封装的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于射频功率放大器应用。该器件设计用于在高频率下工作，具备良好的热稳定性和高功率增益，适用于广播、通信设备以及工业加热系统等高功率射频应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　输出功率（Pout）：125W @ 500MHz
　　频率范围：DC ~ 1GHz
　　增益：14dB @ 500MHz
　　效率：65% @ 500MHz
　　封装类型：金属TO-240AA封装

特性

RF5605SR 具备多项优良的电气和热性能，使其在高频、高功率应用中表现出色。该器件采用先进的硅基MOSFET工艺制造，具有较高的热导率和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其高增益特性使其在射频放大电路中具有良好的信号放大能力，同时具备较高的效率，降低了系统的功耗并减少了散热需求。
　　此外，RF5605SR 的宽频率响应范围（DC至1GHz）使其适用于多种射频应用，包括FM广播、工业加热、医疗设备以及无线通信系统。该器件的输入和输出阻抗匹配良好，简化了射频电路的设计和实现。
　　其金属封装不仅提供了优异的散热性能，还具备良好的电磁屏蔽能力，减少了外部干扰对器件性能的影响。此外，该MOSFET具有较高的线性度和较低的互调失真，适用于需要高质量信号放大的应用。在过载和异常工作条件下，RF5605SR 也具备一定的耐受能力，提高了系统的可靠性和稳定性。