时间：2025/12/29 14:21:14
阅读：18
RURP860CC 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的高电压、高速功率晶体管，属于功率MOSFET类别。该器件采用先进的制造工艺，具备优良的导通性能和开关特性，适用于需要高效能功率转换的应用场景。
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：8A
最大功耗(Pd)：125W
栅极电荷(Qg)：45nC
导通电阻(Rds(on))：0.65Ω
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
RURP860CC具有多个显著的性能特点。首先，其最大漏源电压可达600V，使其能够适用于高电压环境下的功率转换需求，如电源适配器和电机控制电路。其次，最大漏极电流为8A，确保了该器件在高负载条件下依然能够稳定工作。
此外，RURP860CC的导通电阻为0.65Ω，在同类产品中表现优异，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，有助于提高系统的整体能效。同时，其最大功耗为125W，表明该MOSFET具备良好的散热能力，能够在高温环境下持续运行。
栅极电荷为45nC，这使得RURP860CC在高频开关应用中表现良好，减少了开关过程中的能量损耗。此外，该器件采用了TO-220封装形式，这种封装结构简单且散热性能良好，广泛应用于各种功率电子设备中。
最后，RURP860CC的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的环境适应性，能够在极端温度条件下保持稳定性能。
RURP860CC被广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，它适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器等电路设计，能够有效提高能源转换效率并减少热量产生。
在工业自动化和电机控制方面，RURP860CC可用于驱动直流电机、步进电机以及交流变频器中的功率级电路。其高电压和大电流承载能力，使其成为工业设备中可靠的核心元件。
此外，RURP860CC也适用于照明系统，如LED驱动器和荧光灯镇流器，能够提供稳定的电流输出并延长灯具寿命。
在消费类电子产品中，RURP860CC可用于电源适配器、充电器和电源管理模块，为便携设备提供高效、稳定的电力支持。
在新能源领域，例如太阳能逆变器和风能变流器中，RURP860CC可以作为功率开关，实现高效的能量转换和控制。
STP8NK60Z, IRF840, FQP8N60C
