型号：WL05GTH15N
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1500 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：5 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80 A
　　最大正向电压降（VF）：1.75 V @ 5 A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：10 μA @ 1200 V, 25°C；1 mA @ 1200 V, 150°C
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻结至壳（RθJC）：2.5 °C/W
　　封装形式：TO-247-3L

WL05GTH15N的核心优势在于其基于6H-SiC晶圆制造的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了少数载流子的储存效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr），从而极大降低了开关过程中的能量损耗。这一特性使得该器件在高频开关应用中表现尤为出色，不仅减少了电磁干扰（EMI），还允许使用更小尺寸的滤波元件，进而缩小整个电源系统的体积。
　　此外，由于碳化硅材料本身具有宽禁带（约3.2eV）、高击穿电场强度和优良的热导率，WL05GTH15N能够在高达175°C的结温下持续稳定运行，远高于传统硅二极管的典型上限（通常为150°C）。这使其非常适合部署在高温环境中，如靠近发动机舱的车载电源或密闭式工业设备内部。
　　该器件的低正向压降（典型值1.75V@5A）意味着更低的导通损耗，在中等负载条件下即可体现出明显的效率提升。配合极低的反向漏电流（室温下仅几微安级别），即使在轻载状态下也能维持高能效。值得注意的是，尽管漏电流随温度升高而增加，但在150°C时仍控制在1mA以内，处于业界领先水平。
　　WL05GTH15N还具备出色的抗浪涌能力，可承受高达80A的非重复峰值电流，增强了系统在瞬态过载或启动冲击下的鲁棒性。其TO-247-3L封装提供良好的机械强度和热传导路径，便于集成到现有PCB布局中，并支持焊接或压接等多种安装方式。整体而言，该器件结合了高效、可靠与紧凑的特点，是现代高功率密度电源设计的理想选择之一。

WL05GTH15N广泛应用于各类需要高效能、高可靠性的电力转换系统中。典型用途包括服务器和电信电源中的功率因数校正（PFC）级，利用其无反向恢复特性减少开关损耗，提高整体电源效率至98%以上。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧升压电路，帮助实现更高的能量转化效率和更小的散热器体积。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，WL05GTH15N凭借其高温耐受能力和快速响应特性，成为实现高功率密度设计的关键组件之一。工业电机驱动器、UPS不间断电源以及高压DC-DC变换器也普遍采用此类碳化硅二极管来优化动态响应和降低系统温升。其卓越的电气与热性能使其特别适用于长期连续运行且维护成本敏感的应用场景。