时间：2025/4/29 15:01:31
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IRF7306QTR是Infineon（英飞凌）公司生产的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用逻辑电平驱动设计，适合于低电压应用场合，广泛用于电源管理、电机驱动以及负载开关等领域。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而能够在高频应用中提供高效性能。
IRF7306QTR使用TO-252 (DPAK) 封装，有助于提高散热性能并简化PCB布局。其出色的电气特性使其成为各种便携式设备和工业应用的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
最大持续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：6mΩ（在Vgs=10V时）
输入电容(Ciss)：1040pF
总功耗(Ptot)：1.2W（环境温度为+25°C时）
工作结温范围(Tj)：-55°C至+1TO-252 (DPAK)
1. 低导通电阻，减少传导损耗，提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 逻辑电平驱动，易于与数字电路集成。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于苛刻的工作条件。
5. 较小的封装尺寸，便于紧凑型设计。
6. 高雪崩击穿能量能力，增强了抗过载性能。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器及降压/升压转换器。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 电动工具和小型家电的电机驱动控制。
5. 照明系统中的LED驱动器。
6. 各类消费电子产品的电源管理和保护电路。
7. 数据通信设备中的信号切换与保护。
IRF7306PbF, IRLR7306TRPBF
