时间：2025/9/13 22:03:52
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PMPB30XPEX 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率电源管理和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制、电池管理系统以及各种工业和消费类电子设备中的高功率密度设计。PMPB30XPEX采用DFN5x6封装形式，具备优良的散热性能和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：DFN5x6
PMPB30XPEX的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得其在高电流应用中仍能保持稳定的工作状态，并具备良好的抗热失控能力。
此外，PMPB30XPEX具有高耐压能力，漏源电压可达30V，适用于多种中低压功率转换场景。其栅极设计允许±20V的栅源电压，增强了抗干扰能力和驱动灵活性。该MOSFET在高电流负载下仍能保持稳定的导通性能，确保系统在重载条件下可靠运行。
DFN5x6封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且底部有散热焊盘，提升了热传导效率，适用于高密度电路设计。该器件还具备优良的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的保护，提升系统的鲁棒性。
整体而言，PMPB30XPEX是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、散热和空间要求较高的现代电子设备。
PMPB30XPEX广泛应用于各类电力电子系统中，例如：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电与管理系统（如电动工具、无人机、储能设备）、电机驱动电路、工业自动化控制设备、服务器和通信电源模块等。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计中。
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