时间：2025/7/11 20:13:32
阅读：8
SI7848DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，旨在提供低导通电阻和高效率性能，适用于各种电源管理应用。其小型化的封装（TSOT23-3）使其非常适合空间受限的设计，同时保持了良好的电气性能。
该器件广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制领域，能够实现高效的开关操作。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：115pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
SI7848DP-T1-GE3 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，其优化的栅极电荷允许快速开关操作，从而降低开关损耗。器件采用 TSOT23-3 封装，具有出色的热性能和电气性能。TrenchFET Gen III 技术确保了在高频条件下也能维持较高的效率。
这款 MOSFET 还具备较低的输入和输出电容，进一步提升了开关速度，并且减少了电磁干扰的可能性。同时，其高雪崩能量能力增强了系统的可靠性和耐用性。
SI7848DP-T1-GE3 主要应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、LED 驱动器以及其他需要高效功率转换的场景中。由于其小尺寸和高性能特点，它特别适合于移动设备、笔记本电脑适配器、平板电视等对空间敏感的产品。
此外，该器件也常被用作同步整流 MOSFET，在反激式或降压/升压拓扑结构中发挥重要作用。
SI7845DP, SI4446DY
