时间：2025/6/6 14:41:14
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WPE15VD3BLA 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率电子元器件，主要用于高频率、高效率的开关电源应用。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管（eGaN FET）技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于工业级及消费级电力转换系统。
该芯片封装形式为超薄型表面贴装封装，能够显著减少寄生电感，提高整体电路性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：35mΩ
栅极驱动电压：4.5V~6V
工作温度范围：-55℃~175℃
输入电容：8nF
反向恢复时间：20ns
WPE15VD3BLA 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：支持高达 600V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 超低导通电阻：仅为 35mΩ，可显著降低功率损耗。
3. 快速开关性能：得益于氮化镓材料的特性，其反向恢复时间仅为 20ns，能有效减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内稳定运行。
5. 封装优化：采用超薄型 SMD 封装设计，大幅降低了寄生电感对高频性能的影响。
6. 栅极驱动兼容性好：支持 4.5V 至 6V 的标准逻辑电平驱动，简化了驱动电路设计。
WPE15VD3BLA 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动：包括家用电器、工业设备中的高效电机控制。
3. 太阳能逆变器：用于光伏系统的能量转换。
4. 电动车充电装置：如车载充电器和快充桩。
5. 数据中心电源：满足高性能服务器和网络设备的供电需求。
6. 无线充电模块：实现高效率的能量传输。
WPE15VD3BMA, WPE15VD3BNL
