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RU40220R 发布时间 时间:2025/7/25 10:18:54 查看 阅读:6

RU40220R 是一款由 Renesas(瑞萨电子)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等领域。该MOSFET采用TO-220封装,便于散热并确保在高功率应用中的稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):250V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A(在25°C)
  脉冲漏极电流(Idm):160A
  导通电阻(Rds(on)):最大55mΩ(在Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Pd):150W

特性

RU40220R 具有多个显著的技术特性,使其在高性能功率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))最大为55mΩ,这显著降低了在高电流条件下的导通损耗,提高了整体效率。这对于设计高效率的电源系统(如DC-DC转换器和电源适配器)至关重要。
  其次,该MOSFET具有高耐压能力,漏源电压(Vds)可达250V,能够承受较高的电压应力,适用于多种高压应用场景。同时,栅源电压容限为±20V,这提高了其在复杂驱动电路中的可靠性。
  此外,RU40220R支持高达40A的连续漏极电流(在25°C环境温度下),并且具备高达160A的脉冲漏极电流能力,这使其非常适合需要处理大电流的应用,如电机驱动器和高功率LED照明系统。
  该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在高功率运行条件下保持较低的结温,从而提高系统的稳定性和寿命。
  最后,RU40220R具有快速开关特性,开关时间较短,降低了开关损耗,并支持高频操作,这在开关电源和高频逆变器中尤为重要。

应用

RU40220R 主要应用于需要高功率和高效能的电子系统中。
  其主要应用领域包括电源管理模块,如AC-DC和DC-DC转换器,用于服务器、计算机和工业设备的电源系统中,以提高能源转换效率并减少热量产生。
  此外,该MOSFET也广泛用于电机控制电路,例如在电动工具、家用电器和自动化工业设备中作为功率开关使用,能够承受频繁的开关操作和高电流负载。
  由于其高耐压和大电流能力,RU40220R 还适用于电池管理系统(BMS)和储能系统中的开关控制,如UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等应用。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载娱乐系统的电源管理部分。
  另外,该MOSFET也适用于高功率LED照明系统,作为恒流驱动开关元件,以提高灯具的能效和寿命。

替代型号

IRF2807-7P, FDP40220, SiHF22N50C

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