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FAN3227TMX_F085 发布时间 时间:2025/8/25 3:13:44 查看 阅读:14

FAN3227TMX_F085是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的双路、高速、低侧MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为高效能功率转换应用而设计,适用于如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制等场景。该器件采用8引脚TDFN封装,具备较小的封装尺寸和优良的热性能,适合在高密度PCB布局中使用。FAN3227TMX_F085的设计目标是提供快速的开关能力以及驱动大功率MOSFET的能力,同时保持较低的功耗和较高的可靠性。

参数

供电电压:4.5V至18V
  输出电流(峰值):±2.5A
  传播延迟:典型值为9ns
  上升时间:典型值为5ns
  下降时间:典型值为4ns
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:8-TDFN

特性

FAN3227TMX_F085具有多项高性能特性,使其在功率电子系统中表现出色。首先,该芯片支持宽输入电压范围(4.5V至18V),允许其在多种电源条件下稳定工作,适用于不同类型的MOSFET驱动需求。其输出驱动能力高达±2.5A,可快速充放电MOSFET栅极电容,从而实现快速开关,降低开关损耗。
  FAN3227TMX_F085的传播延迟仅为9ns,确保了控制信号到功率MOSFET之间的快速响应,对于高频开关应用(如现代DC-DC转换器)至关重要。此外,其上升时间和下降时间分别仅为5ns和4ns,有助于进一步提高系统的开关效率和稳定性。
  该芯片采用8引脚TDFN封装,具有良好的热管理和空间节省特性,适用于紧凑型电源设计。内部结构优化了抗噪声能力,确保在高dv/dt环境下仍能可靠工作。此外,FAN3227TMX_F085具备欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在供电电压不足时产生不稳定的驱动信号,从而保护功率器件免受损坏。
  由于其低侧驱动架构,FAN3227TMX_F085常用于驱动N沟道MOSFET的低端开关。其独立的输入控制信号允许灵活配置双路输出,分别驱动两个不同的MOSFET,适用于半桥、同步整流等多种拓扑结构。

应用

FAN3227TMX_F085广泛应用于需要高速、高效MOSFET驱动的电力电子系统中。例如,在高性能DC-DC转换器中,该芯片用于驱动同步整流MOSFET,提高转换效率并降低损耗。在负载开关或热插拔系统中,它能够快速控制MOSFET的导通与关断,实现电源管理与保护功能。
  此外,该芯片适用于电机控制、电池管理系统(BMS)以及服务器和通信设备中的电源模块。其高速特性也使其适合用于谐振转换器、ZVS/ZCS拓扑等高频应用中,提升整体系统性能。
  在工业自动化、汽车电子和消费类高功率设备中,FAN3227TMX_F085也常被用于驱动功率MOSFET,实现对负载的精确控制。由于其宽输入电压范围和高输出驱动能力,特别适合需要高可靠性和高性能的复杂电源管理场景。

替代型号

Si8230BB-D-ISR, TC4420COA, IRS21844SPBF

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