时间：2025/8/7 15:03:33
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VSX60MD35 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机驱动器等应用场景。VSX60MD35 采用紧凑的 PowerPAK SO-8 封装，提供优异的热性能和空间利用率。
类型：功率 MOSFET
沟道类型：双 N 沟道
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25°C）：10A（每个通道）
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：22mΩ（最大）
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=2.5V）：30mΩ（最大）
功率耗散（Pd）：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：PowerPAK SO-8
VSX60MD35 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET，具备多项优势和特点，适用于多种电源管理应用。
首先，该器件采用先进的 TrenchFET 技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。在 4.5V 栅极驱动电压下，Rds(on) 的最大值为 22mΩ，即使在较低的栅极电压（如 2.5V）下，Rds(on) 也仅为 30mΩ，使其适用于低电压控制电路。
其次，VSX60MD35 的双 N 沟道结构允许用户在一个封装中实现两个独立的 MOSFET 管，节省了 PCB 空间，提高了设计的紧凑性。每个通道可支持高达 10A 的连续漏极电流，适合中等功率的负载切换和功率转换应用。
此外，该器件具有良好的热管理性能，得益于 PowerPAK SO-8 封装的优化设计，其热阻（RθJA）较低，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。同时，VSX60MD35 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应广泛的工业环境应用需求。
该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，增强了抗过压能力，同时降低了因栅极驱动不稳定而造成损坏的风险。结合其低输入电容（Ciss）和快速开关特性，VSX60MD35 适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关控制等。
综上所述，VSX60MD35 凭借其低导通电阻、双通道集成设计、高电流承载能力以及优良的热性能，成为电源管理和功率控制领域的理想选择。
VSX60MD35 广泛应用于多个电源管理领域，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及便携式电子设备的功率控制电路。由于其双通道结构和低导通电阻特性，该器件特别适用于需要高效能、高集成度和小尺寸的电源解决方案。
Si2302DS, AO4406A, FDS6675, IRF7404, BSS138K
