时间：2025/5/12 13:13:13
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GA1210H124KBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺以提供低导通电阻和高开关速度。该器件适用于各种电力电子应用中，包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其封装形式为 TO-263，具备出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：10A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：开启时间30ns，关闭时间20ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
GA1210H124KBAAT31G 提供了低导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。此外，它的快速开关特性和低栅极电荷使得它非常适合高频应用。同时，这款芯片具有较高的雪崩能量能力，增强了在过载条件下的可靠性。
另外，其TO-263封装设计便于安装，并能有效地将热量散发出去，确保设备长期稳定运行。
由于采用了最新的半导体技术，该MOSFET还拥有较低的输入和输出电容，进一步优化了开关性能。
该元器件广泛应用于多种领域，如消费类电子产品中的适配器和充电器，工业领域的电机控制器和逆变器，以及通信设备中的电源管理单元等。在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统中也有所应用。此外，它还可用于不间断电源(UPS)系统以及太阳能微逆变器等新能源相关产品中。
GA1210H124KBAAU31G, IRFZ44N, FDP5570
