时间：2025/6/17 0:10:54
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RTR025N05T 是一款基于硅材料的 N 沣道开关 MOSFET，采用小型化 SOT23 封装。该器件主要应用于低电压、小电流场景下的开关和功率管理应用。其出色的导通电阻性能和极低的栅极电荷使其非常适合需要高频切换效率的应用场合。
该型号属于瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的 RTR 系列产品，专为消费电子、通信设备及工业控制等领域设计。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻（典型值）：70mΩ
栅极电荷：6nC
总电容（输入电容）：350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT23
RTR025N05T 的主要特点包括：
1. 超低导通电阻，在较低的电压下可以实现高效能的能量转换。
2. 高速开关能力，得益于其低栅极电荷设计，能够有效减少开关损耗。
3. 采用标准的小型 SOT23 封装，节省 PCB 空间并便于表面贴装。
4. 提供卓越的热稳定性和可靠性，适用于广泛的环境温度范围。
5. 具备良好的抗 ESD 性能，增强系统的稳定性。
该芯片广泛用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器和降压升压电路。
3. 电池保护与充电管理系统。
4. 消费类电子产品如手机、平板电脑和其他便携式设备的负载开关。
5. LED 驱动电路及汽车电子系统中的低边开关。
RTR025N05T 的高性能特性使其成为各种低功耗、高效率需求的理想选择。
RFP70N06LE, FDMQ8209
