时间：2025/4/30 9:48:20
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BSZ024N04LS6 是一款基于超结（Super Junction）技术的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高效率、高频开关应用。该器件采用 LFPAK56E 封装形式，具有低导通电阻和快速开关性能，能够显著提高功率转换效率并减少系统散热需求。
其主要设计目标是满足汽车电子、工业电源、电机驱动以及通信设备等领域的高可靠性要求。BSZ024N04LS6 的额定电压为 40V，可支持大电流负载，同时具备优异的热稳定性和抗雪崩能力。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（Qg）：27nC
反向恢复时间（trr）：16ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56E
BSZ024N04LS6 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，栅极电荷较低，适合高频应用。
3. 超结技术提供更高的单位面积功率密度。
4. 出色的热性能和可靠性，能够在极端温度条件下运行。
5. 内置 ESD 保护功能以增强鲁棒性。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车环境中的稳定性与安全性。
7. 反向恢复时间短，减少开关过程中的能量损失。
BSZ024N04LS6 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关或辅助开关。
3. 电动车辆 (EV/HEV) 的车载充电器和逆变器。
4. 工业马达驱动及控制电路。
5. LED 照明驱动中的高效功率管理。
6. 通信基站电源模块。
7. 高频 PWM 控制器和电池管理系统 (BMS)。
BSZ028N04LS6
IPW24N04L
BSC024N04LSG
