类型：N沟道MOSFET
　　工作电压：900V
　　最大连续漏极电流：4.5A
　　导通电阻：2.2Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　栅极阈值电压：2.1V至4.0V
　　漏源击穿电压：900V
　　功耗：150W

IXFP5N90P具有多项出色的特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具备高耐压能力，漏源击穿电压达到900V，适用于高压电源和变换器设计。
　　此外，IXFP5N90P采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，可以在高功率密度环境下稳定工作。该封装还支持自动焊接工艺，适用于大规模生产。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V，使其适用于多种驱动电路设计。此外，IXFP5N90P的热阻较低，确保在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性，防止因温度升高导致的性能下降。
　　最后，IXFP5N90P通过了工业标准认证，具有优异的可靠性和耐用性，适用于工业控制、电源转换、照明系统以及电机驱动等应用。

IXFP5N90P广泛应用于多个高功率电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主开关电路，提高电源转换效率并减少能量损耗。此外，在DC-DC转换器中，IXFP5N90P能够实现高效的电压调节，适用于电信设备和服务器电源系统。
　　在电机控制应用中，IXFP5N90P可作为功率开关元件，用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制。同时，该器件也适用于LED照明系统中的高电压驱动电路，确保光源的稳定性和长寿命。
　　除此之外，IXFP5N90P还可用于逆变器、不间断电源（UPS）系统以及光伏逆变器等新能源设备中，满足高电压和高效率的需求。其优异的热管理和可靠性使其成为工业自动化和电力电子系统中的关键组件。

STF5N90M5, FQA4N90C, IRFPC50PBF