时间：2025/5/13 11:06:34
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FQB1P50TM是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力，广泛适用于各种电源管理应用。它特别适合于需要高效能和高可靠性的场合，例如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（典型值）：47mΩ
栅极电荷：6nC
输入电容：350pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计降低了功率损耗，提高了整体效率。
2. 高速开关性能使得该MOSFET在高频应用中表现出色。
3. 具有较高的雪崩击穿能量，提升了器件的耐用性和可靠性。
4. 封装形式紧凑，有助于简化PCB布局并减少空间占用。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 优异的热稳定性确保其在宽温度范围内稳定运行。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
5. 各种电机驱动和控制应用。
6. 电信设备中的功率管理模块。
FQP50N06L, IRF540N, AO3400
