时间：2025/5/15 16:20:38
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SI4888DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，旨在提供高效率和低导通电阻 (Rds(on)) 的特性，适用于多种开关和功率管理应用。其封装形式为热增强型 SO-8 封装 (TSSOP)，能够有效提升散热性能。
该 MOSFET 具有出色的开关特性和较低的栅极电荷，这使其非常适合高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理模块等。
最大漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：27A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：SO-8(TSSOP)
功耗(PD)：115W
输入电容(Ciss)：3940pF
输出电容(Coss)：680pF
反向传输电容(Crss)：80pF
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的热管理设计，通过优化的 SO-8 封装实现更好的散热性能。
3. 高速开关能力，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，从而减少开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应各种极端环境下的应用需求。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保要求得到满足。
6. 出色的 ESD 保护性能，提高了器件在恶劣环境中的可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的桥式驱动元件。
3. 各种负载开关应用，如服务器、通信设备和工业控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和充放电控制开关。
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率级元件。
6. 用于消费类电子产品的高效能电源转换方案。
SI4894DY, SI4886DP, IRF3205
