RTQ020N03TR 是一款 N 沣道通体 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
RTQ020N03TR 的封装形式为 SOT23 封装,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计。此外,该器件还具备良好的热性能和电气性能,能够满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:2A
导通电阻:160mΩ
栅极阈值电压:1.5V~3V
功耗:470mW
工作温度范围:-55℃~150℃
RTQ020N03TR 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,降低电磁干扰。
3. 高击穿电压(V(BR)DSS),确保在高压环境下运行时的安全性和稳定性。
4. 小型化的 SOT23 封装设计,节省 PCB 空间,适合便携式和紧凑型应用。
5. 宽泛的工作温度范围,可在恶劣环境中保持稳定性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
RTQ020N03TR 广泛应用于各种需要高效能和小型化的场景中,具体包括:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 便携式电子设备(如手机、平板电脑)中的电源管理。
4. 电机驱动和控制电路,例如小型直流电机或步进电机。
5. 各类保护功能电路,如过流保护和短路保护。
6. 信号切换和逻辑电平转换电路。
RTQ020N03L, STT3LK10N3LH, AO3400A