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RTQ020N03TR 发布时间 时间:2025/6/5 21:57:07 查看 阅读:10

RTQ020N03TR 是一款 N 沣道通体 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
  RTQ020N03TR 的封装形式为 SOT23 封装,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计。此外,该器件还具备良好的热性能和电气性能,能够满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:160mΩ
  栅极阈值电压:1.5V~3V
  功耗:470mW
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

RTQ020N03TR 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,降低电磁干扰。
  3. 高击穿电压(V(BR)DSS),确保在高压环境下运行时的安全性和稳定性。
  4. 小型化的 SOT23 封装设计,节省 PCB 空间,适合便携式和紧凑型应用。
  5. 宽泛的工作温度范围,可在恶劣环境中保持稳定性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。

应用

RTQ020N03TR 广泛应用于各种需要高效能和小型化的场景中,具体包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
  3. 便携式电子设备(如手机、平板电脑)中的电源管理。
  4. 电机驱动和控制电路,例如小型直流电机或步进电机。
  5. 各类保护功能电路,如过流保护和短路保护。
  6. 信号切换和逻辑电平转换电路。

替代型号

RTQ020N03L, STT3LK10N3LH, AO3400A

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RTQ020N03TR参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds135pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装TSMT6
  • 包装带卷 (TR)