PBRN123YT 时间：2025/9/15 1:36:42 阅读：8

PBRN123YT 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的开关应用，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及各种工业和汽车电子系统。PBRN123YT 采用小型表面贴装封装（通常为 SOT-223 或类似的封装形式），具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（@ Vgs = 10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 1.2Ω（@ Vgs = 10V）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

PBRN123YT 功率 MOSFET 具备多项优异特性，使其适用于多种低功耗和中等功率的应用场景。
　　首先，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其 1.2Ω 的导通电阻在低电流应用中表现尤为出色，能够有效降低发热，提高系统稳定性。
　　其次，PBRN123YT 的最大漏源电压为 20V，能够在大多数低压电源系统中可靠工作。其栅极驱动电压范围为 ±12V，典型工作电压为 10V，适用于标准的逻辑电平驱动电路。
　　该器件的封装形式为 SOT-223，具有良好的热管理能力，能够在高环境温度下保持稳定运行。此外，其表面贴装封装也便于自动化生产和 PCB 设计，降低了制造成本。
　　此外，PBRN123YT 的连续漏极电流为 100mA，在低电流负载切换和小型功率控制应用中表现优异。该器件的高可靠性、宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于工业控制、车载电子等对稳定性要求较高的环境。

应用

PBRN123YT 广泛应用于多个领域，尤其是在需要低功耗、小尺寸和高可靠性的电子系统中。
　　其中，该器件常用于 DC-DC 转换器中的同步整流器或负载开关，能够有效提高转换效率并减少发热。在电池管理系统中，它可用于控制充放电路径，实现高效的能量管理。
　　此外，PBRN123YT 还适用于电机驱动电路，尤其是在小型电机或步进电机的控制中，能够提供稳定的开关性能。在工业自动化设备中，该器件可用于继电器替代、负载切换和信号控制等应用场景。
　　由于其具备较高的稳定性和良好的温度特性，PBRN123YT 也广泛应用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和 LED 照明驱动电路等。