类型：PNP晶体管阵列
　　晶体管数量：4
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW（典型DIP封装）
　　直流电流增益（hFE）：最小50，典型值150（测试条件IC = 1mA）
　　增益带宽积（fT）：250MHz（典型值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

CA3064E内部集成的四个PNP晶体管在制造过程中经过精心匹配，确保了它们在增益、阈值电压和温度特性方面的一致性，这使得它特别适用于构建高性能的差分放大器和电流镜电路。每个晶体管都具备良好的高频响应能力，增益带宽积可达250MHz，使其能够在中高频模拟信号处理中保持优异性能。由于所有晶体管位于同一硅片上，它们之间具有较强的热耦合效应，能够有效减少因温度漂移引起的误差，在长时间运行或环境温度变化较大的应用中表现出更高的稳定性。
　　该器件采用标准14引脚封装，其中仅使用10个引脚（4个晶体管×2.5端子，共用衬底连接），其余为空脚或未连接。这种布局设计便于PCB布线，并有助于降低寄生电容和串扰。CA3064E的PNP晶体管具有较低的饱和压降，有利于提高开关速度和降低功耗，适用于高速开关和低功耗逻辑接口电路。此外，其较高的击穿电压（30V）使其可兼容多种电源系统，包括±15V运算放大器供电轨，从而扩展了其在工业控制系统中的适用范围。
　　值得一提的是，CA3064E的设计符合军用和高可靠性标准，可在-55°C至+125°C的结温范围内稳定工作，适用于航空航天、军事电子和工业自动化等严苛环境下的应用。其封装材料具有良好的耐湿性和抗老化性能，进一步提升了长期使用的可靠性。尽管该器件属于较早期的产品系列，但由于其出色的电气特性和稳健的设计，至今仍在许多模拟集成电路设计中被广泛采用。

CA3064E常用于需要多个匹配PNP晶体管的模拟电路设计中，典型应用场景包括差分输入级放大器、有源负载配置、电流镜像源、电平移位电路以及高速开关逻辑接口。在运算放大器或仪表放大器的前端输入级中，利用其匹配特性可以显著提升共模抑制比和温度稳定性。此外，该器件也广泛应用于模拟乘法器、对数放大器和电压控制振荡器（VCO）等非线性电路中，作为关键的有源元件实现精确的信号处理功能。
　　在工业控制领域，CA3064E可用于驱动继电器、LED指示灯或小型电磁阀的接口电路，其集成化结构减少了分立元件的数量，提高了系统的紧凑性和可靠性。在通信设备中，它可以作为射频信号的前置放大或缓冲级，利用其高频响应能力增强小信号的传输质量。同时，由于其宽工作温度范围和高可靠性，该器件也被用于汽车电子、航空电子和测试测量仪器等对环境适应性要求较高的场合。
　　此外，CA3064E还可用于构建精密参考源电路，例如与NPN晶体管配合组成带隙基准电压源，利用其匹配特性补偿温度系数，从而获得稳定的输出电压。在一些老式音频设备或高端音响系统中，该器件也被用于分立式放大模块的设计，以追求更纯净的声音表现。总之，CA3064E凭借其多功能性和高可靠性，在多种电子系统中扮演着重要角色。

LM3064
　　MC13064