时间：2025/6/11 13:06:53
阅读：4
RT15N1R8B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高功率应用场景。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻，能够显著提高电源转换效率并降低能量损耗。
这款 GaN 晶体管采用增强型结构 (E-Mode)，支持简单驱动，并具备优异的热稳定性和可靠性，非常适合需要高效能和紧凑设计的现代电子系统。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：20A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：65nC
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
RT15N1R8B500CT 的主要特性包括其低导通电阻 (1.8mΩ)，这有助于减少传导损耗并提升效率。
此外，该器件的快速开关速度和零反向恢复电荷使其在硬开关和软开关应用中表现出色。
GaN 材料的固有优势赋予了它更高的功率密度和更小的体积，同时增强了散热能力。
该器件还具备强大的短路耐受能力，进一步提升了系统的可靠性和安全性。
其增强型结构无需复杂的驱动电路，简化了设计流程并降低了成本。
RT15N1R8B500CT 广泛应用于各种高效率电源转换场景，例如数据中心服务器电源、通信基站电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。
此外，它也适用于工业电机驱动、不间断电源 (UPS) 和其他需要高性能功率开关的应用领域。
由于其高功率密度和高效能特点，该器件特别适合追求小型化和轻量化设计的产品。
RT15N1R8B500CTL, RT15N1R8B500CTH
