时间：2025/5/7 12:32:52
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FGPF15N60UNDF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适合用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用场景。
FGPF15N60UNDF 的设计使其能够在高频条件下提供优异的性能，同时保持较低的开关损耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总电容：2000pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FGPF15N60UNDF 提供了出色的电气特性和可靠性：
1. 高击穿电压 (600V)，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻 (0.18Ω)，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
4. 稳定的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，确保在极端环境下的可靠性。
5. 良好的热性能，支持更高的功率密度和散热管理。
FGPF15N60UNDF 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机控制和驱动系统。
3. 太阳能逆变器和风能转换系统。
4. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的功率模块。
5. UPS 不间断电源系统。
6. 各类工业自动化设备中的功率转换电路。
FGPF15N60U, IRFP460, STP15NF60, FDP15N60
