类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：5A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.2Ω（@ Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：50W（带散热器）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F 或 TO-220FP
　　输入电容（Ciss）：约1100pF
　　输出电容（Coss）：约200pF
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复特性
　　雪崩能量额定值：具备一定耐受能力

5N50K具备多项关键特性，使其成为中等功率开关电源设计中的理想选择。首先，其500V的高击穿电压允许其在通用交流输入范围（85VAC至265VAC）下安全运行，适用于全球范围内的电网电压标准。这一特性对于反激式变换器尤其重要，因为在断续导通模式（DCM）或临界导通模式（BCM）下，变压器反射电压叠加在输入整流后的直流母线上，可能导致瞬态电压超过400V，因此500V的裕量提供了必要的安全余量。
　　其次，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在1.2Ω左右，这显著降低了导通期间的I2R损耗，有助于提高电源的整体效率并减少发热。同时，低Rds(on)也意味着在相同负载条件下可以使用更小尺寸的散热器，有利于实现紧凑型电源设计。此外，5N50K优化了栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），使得在高频开关操作下（如65kHz或更高）仍能保持较低的开关损耗，进一步提升了轻载和满载条件下的能效表现。
　　第三，该MOSFET采用坚固的平面DMOS工艺制造，具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。这意味着在异常工况下（如负载突变或短路），器件能够承受一定的过压和过流冲击而不立即失效，提高了系统的鲁棒性。其工作结温高达+150°C，配合有效的散热设计，可在高温环境下长期稳定运行。
　　最后，5N50K通常与PI公司的集成控制器IC（如TOPSwitch或InnoSwitch系列）配合使用，形成完整的电源解决方案。尽管5N50K本身是分立器件，但其电气特性与这些控制器高度匹配，便于实现高性能、高可靠性的隔离式电源设计。其TO-220封装形式易于安装和焊接，并支持通过散热片进行有效热传导，适合自动化生产和维修更换。

5N50K广泛应用于多种中低功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的场景。一个典型的应用是作为反激式开关电源中的主功率开关管，用于将整流后的高压直流电转换为高频脉冲，再通过变压器隔离降压后输出稳定的低压直流电。这类电源常见于家电产品（如电视、机顶盒、路由器）、办公设备（如打印机、扫描仪）以及小型工业控制设备中。
　　在适配器和充电器领域，5N50K可用于设计输出功率在30W至75W之间的AC-DC电源适配器，例如笔记本电脑外置电源、LED照明驱动电源或电动工具充电器。由于其具备良好的动态响应能力和热稳定性，能够在不同负载条件下维持高效运行，满足能源之星或欧盟CoC等能效标准要求。
　　此外，该器件也可用于辅助电源（Auxiliary Supply）设计，在大功率电源系统中为控制电路提供独立的低压供电。在这种应用中，5N50K构成的小型反激电路可以从主母线取电，生成+5V、+12V或+15V的偏置电压，确保控制系统在主负载关闭时仍能正常工作。
　　在工业自动化和通信设备中，5N50K被用于构建隔离式DC-DC转换器的初级侧开关，配合光耦或数字隔离器实现反馈控制。其高耐压特性使其能够适应宽输入电压范围的应用，例如在48V通信系统或24V工业总线供电环境中作为前级DC-DC模块的核心元件。
　　另外，由于其具备一定的抗浪涌和抗干扰能力，5N50K也可用于电磁兼容性（EMC）要求较高的场合。通过合理布局PCB和优化驱动电路，可以有效抑制开关噪声传播，满足FCC Class B或CISPR 22等辐射发射限值要求。因此，它不仅是一个简单的功率开关，更是构建安全、合规、高效电源系统的关键组件之一。

STP5NK50Z
　　FQP5N50
　　KSP5N50