时间：2025/6/22 14:06:13
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IRFR4105TRPBF是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），能够满足大电流、高散热需求的场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：38A
导通电阻：3.9mΩ
栅极电荷：17nC
开关时间：典型值t_on=15ns，t_off=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263-3
IRFR4105TRPBF具有低导通电阻，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
其快速开关性能使得它非常适合高频功率转换应用。
内置反向恢复电荷较低的体二极管设计，可减少开关过程中的能量损失。
该器件采用了Trench工艺制造，相比传统平面MOSFET，具备更小的芯片尺寸与更高的性能密度。
适合应用于需要高可靠性和高效能表现的场合，同时具备较强的热稳定性以应对恶劣的工作环境。
IRFR4105TRPBF广泛用于DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动、负载开关以及太阳能逆变器等电力电子领域。
由于其出色的电气性能和耐热能力，也常见于汽车电子中的各种功率管理模块。
此外，在消费类电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器等中小功率电源中也有广泛应用。
IRF4105ZFPBF
IXFN40N04P4
STL40N4LLF7
FDP16N40
