时间：2025/9/14 8:07:59
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GAN063-650WSAQ是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，由GaN Systems公司制造。这款器件专门设计用于高效率、高频电力电子应用，如电源转换器、逆变器和电机驱动系统。GAN063-650WSAQ采用了GaN Systems的专利封装技术，提供出色的热管理和电气性能，使其在高频开关应用中表现出色。
类型：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）
最大漏极电流（ID）：63 A
最大漏-源电压（VDS）：650 V
导通电阻（RDS(on)）：18 mΩ
封装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极电荷（QG）：13 nC
漏极电荷（QOSS）：45 nC
短路耐受能力：650 V/100 A
GAN063-650WSAQ具备多项先进的技术特性，适用于高效率和高频电力电子应用。该器件采用GaN材料，具备极低的导通电阻和开关损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，GAN063-650WSAQ的高频操作能力使其能够在高频开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中实现更高的功率密度。该器件的封装设计优化了热管理，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
GAN063-650WSAQ的栅极驱动要求较低，兼容标准的12V和18V驱动电路，使得其在各种应用中易于集成。此外，该器件具有优异的短路和过载保护能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定性和可靠性。
该器件还具备极低的输出电容（COSS）和反向恢复电荷（Qrr），进一步降低了开关损耗并提高了系统效率。此外，GAN063-650WSAQ的封装结构具有良好的机械强度和耐久性，适用于各种恶劣的工作环境。
GAN063-650WSAQ广泛应用于高频开关电源、高效DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器以及各种工业自动化和能源管理系统。由于其高效率和高频特性，该器件特别适用于需要高功率密度和低能耗的现代电力电子系统。
GS-065-150-GSM、EPC2045、LMG5200、SiC MOSFET（如Cree/Wolfspeed C3M0065065D）
