时间：2025/7/9 10:06:03
阅读：10
RT15N0R2B500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效率应用设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于电源管理、射频放大器以及高速数字电路等领域。
这款芯片采用增强型结构，需要正向栅极电压才能导通，并且能够在高频工作条件下提供卓越的功率密度和效率。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：+6V/-4V
导通电阻：2.0Ω
连续漏极电流：8A
栅极电荷：30nC
开关频率：高达500MHz
结温范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻：仅为2.0Ω，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高开关频率：支持高达500MHz的操作，非常适合高频应用如射频功率放大器和高速DC-DC转换器。
3. 增强型设计：仅在正向栅极电压下导通，易于驱动并提高了系统的可靠性。
4. 小尺寸封装：采用紧凑型封装，节省PCB空间。
5. 出色的热性能：具备高效的散热路径，确保在高功率应用中的稳定性。
6. 宽温度范围：可以在-55℃至+175℃的结温范围内正常工作，适应多种极端环境条件。
1. 射频功率放大器：
RT15N0R2B500CT 的高开关频率和低导通电阻使其成为射频功率放大器的理想选择，尤其在无线通信和雷达系统中表现优异。
2. 高速DC-DC转换器：
由于其快速开关特性和低损耗，该器件广泛应用于高频DC-DC转换器，用于数据中心、服务器和其他高性能计算设备。
3. 电源管理系统：
可用于高效能电源管理模块，例如电动汽车充电器、工业电源以及消费类电子产品中的电源适配器。
4. 能量回收系统：
在能量回收应用中，RT15N0R2B500CT 的高效率和快速响应能力可以实现更高效的能源利用。
RT15N0R2B500F, RT15N0R2B500H
