SVF13N50F 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
SVF13N50F 的耐压能力为 500V,适用于需要较高电压隔离的电力电子应用场合。
最大漏源电压:500V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:13A
导通电阻(典型值):0.28Ω
总功耗:140W
结温范围:-55℃至+150℃
SVF13N50F 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:额定漏源电压高达 500V,适用于高压环境下的开关电路设计。
2. 低导通电阻:典型导通电阻仅为 0.28Ω,在大电流条件下可显著降低功率损耗。
3. 快速开关性能:优化的芯片结构使得其具有较低的输入电容和输出电荷,从而实现更快的开关速度。
4. 热稳定性强:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内稳定工作,适合各种恶劣工况。
5. 小封装尺寸:紧凑的封装设计节省了 PCB 空间,便于小型化设计。
6. 高可靠性:经过严格的质量控制流程,确保长期使用的稳定性和耐用性。
SVF13N50F 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于高频开关转换器中,提供高效的功率转换。
2. DC-DC 转换器:在降压或升。
3. 电机驱动:用于控制直流电机或无刷电机的启停与调速。
4. 逆变器:在光伏逆变器或其他类型逆变器中充当功率开关。
5. 电池保护:用于锂离子电池组的过流和短路保护电路。
6. 电磁阀驱动:为电磁阀供电时提供快速的开关动作。
SVF13N50,
IRF540,
STP13NF06,
FQP13N50