SVF13N50F 时间：2025/6/4 18:54:15 阅读：6

SVF13N50F 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
　　SVF13N50F 的耐压能力为 500V，适用于需要较高电压隔离的电力电子应用场合。

参数

最大漏源电压：500V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：13A
　　导通电阻（典型值）：0.28Ω
　　总功耗：140W
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

SVF13N50F 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 500V，适用于高压环境下的开关电路设计。
　　2. 低导通电阻：典型导通电阻仅为 0.28Ω，在大电流条件下可显著降低功率损耗。
　　3. 快速开关性能：优化的芯片结构使得其具有较低的输入电容和输出电荷，从而实现更快的开关速度。
　　4. 热稳定性强：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内稳定工作，适合各种恶劣工况。
　　5. 小封装尺寸：紧凑的封装设计节省了 PCB 空间，便于小型化设计。
　　6. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，确保长期使用的稳定性和耐用性。

应用

SVF13N50F 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高频开关转换器中，提供高效的功率转换。
　　2. DC-DC 转换器：在降压或升。
　　3. 电机驱动：用于控制直流电机或无刷电机的启停与调速。
　　4. 逆变器：在光伏逆变器或其他类型逆变器中充当功率开关。
　　5. 电池保护：用于锂离子电池组的过流和短路保护电路。
　　6. 电磁阀驱动：为电磁阀供电时提供快速的开关动作。