时间：2025/7/2 12:43:12
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MS8N120FT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用了先进的工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提高系统效率并降低功耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，其额定电压为800V，适用于高压环境下的各种电力电子应用。通过优化设计，MS8N120FT能够在高频工作条件下保持稳定的性能表现，同时具备良好的短路耐受能力。
额定电压：800V
额定电流：120A
导通电阻：0.065Ω
栅极电荷：70nC
输入电容：3500pF
最大功耗：300W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
MS8N120FT的主要特性包括：
1. 高额定电压（800V）使其适合在高压环境下使用，例如工业电源和新能源设备。
2. 极低的导通电阻（0.065Ω）有效减少了导通损耗，提高了整体系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，有助于缩小无源元件尺寸，实现更紧凑的设计。
4. 出色的热性能，允许在高温条件下长时间稳定运行。
5. 内置ESD保护功能增强了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，适合全球市场的法规要求。
MS8N120FT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车充电设备
5. 不间断电源（UPS）
6. 高压DC-DC转换器
由于其高压和大电流处理能力，该器件特别适合需要高效功率转换和高可靠性的应用场景。
IRGB140K250D
FCH08N80B
CSD19536KCS
