时间：2025/12/24 7:45:40
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UMF107B7473KAHT 是一款高性能的功率 MOSFET，属于 UM 系列，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用 N 沟道增强型技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合要求高效率和快速动态响应的应用场景。
该芯片封装为 TO-263（D2PAK），能够有效提升散热性能并支持大电流操作。此外，它还具备出色的抗雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了其在严苛环境中的可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关速度：纳秒级
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关性能使其适用于高频应用，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持高达 50A 的连续漏极电流。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，保证在极端条件下的稳定运行。
5. 内置 ESD 和雪崩保护功能，提升整体系统的可靠性。
6. TO-263 封装提供优异的热管理和电气连接性能。
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级控制元件。
3. 电机驱动电路中用于驱动无刷直流电机 (BLDC) 或步进电机。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L
