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RSJ300N10TL 发布时间 时间:2025/6/20 23:36:00 查看 阅读:3

RSJ300N10TL 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率应用设计。它采用了先进的半导体制造工艺,能够提供低导通电阻和高效的开关性能。该器件适用于各种电力电子设备中,包括开关电源、电机驱动器以及负载切换等场景。
  RSJ300N10TL 的封装形式通常为 TO-247 或类似的大功率封装,便于散热管理。由于其出色的电气特性,这款 MOSFET 广泛应用于工业和消费类电子产品领域。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:300A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:380nC
  总功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

RSJ300N10TL 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)):在典型条件下,该器件的导通电阻仅为 2.5mΩ,从而降低了传导损耗,提升了效率。
  2. 高电流承载能力:可支持高达 300A 的连续漏极电流,非常适合大功率应用。
  3. 快速开关性能:优化了栅极电荷参数,减少了开关时间,进而降低开关损耗。
  4. 耐热增强设计:采用 TO-247 等高效散热封装,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 宽工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端温度范围内正常工作,适应恶劣环境。

应用

RSJ300N10TL 主要用于以下应用领域:
  1. 开关电源 (SMPS):在 AC/DC 和 DC/DC 转换器中作为主开关元件。
  2. 电机驱动:用于驱动高功率电机,例如工业设备中的伺服电机或电动车驱动系统。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他电力转换设备中发挥核心作用。
  4. 电池管理系统 (BMS):用于保护电池组免受过流或短路损害。
  5. 工业自动化:在各类工业控制设备中实现高效的功率管理。
  6. 大功率 LED 驱动:提供稳定的电流输出以驱动高亮度 LED 灯具。

替代型号

RSJ250N10TL, IRFP260N, STW45N10F6

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RSJ300N10TL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1,000 : ¥8.18212卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)52 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2200 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)50W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LPTS
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB