时间：2025/8/14 2:10:06
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LMBT5087LT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管专为高频率和高速开关应用设计，具有优异的动态性能和可靠性。LMBT5087LT1G 采用小型SOT-23封装，适用于需要高集成度和紧凑设计的电子设备。其设计确保了在较宽的工作温度范围内稳定运行，是许多高性能电路的理想选择。
类型：NPN型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Ptot）：300mW
频率响应（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
LMBT5087LT1G晶体管具备多项显著特性，使其在高频和开关应用中表现出色。
首先，该晶体管的高频响应高达250MHz，使其适用于射频（RF）和高速数字电路中的信号处理任务。其优异的动态性能确保了在高频操作下的稳定性。
其次，LMBT5087LT1G的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，具体取决于档位选择。这种灵活性允许设计人员根据具体应用需求选择最佳的增益水平，从而优化电路性能。
此外，该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，具备较高的耐压能力，适合用于多种中等功率的电子系统中。其最大功耗为300mW，在小型SOT-23封装内提供了良好的热性能，确保在紧凑空间中的稳定运行。
最后，LMBT5087LT1G的工作温度范围从-55°C到150°C，适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。其高可靠性和耐用性使得该器件在多种应用场景中具有广泛的适应性。
LMBT5087LT1G晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 高频放大器：由于其250MHz的高频率响应，LMBT5087LT1G非常适合用于射频（RF）和中间频率（IF）放大器设计，能够提供出色的信号放大性能。
2. 高速开关电路：在数字电路和高速开关应用中，LMBT5087LT1G的快速响应能力和低饱和电压特性使其成为理想选择，常用于电源管理、马达控制和脉冲宽度调制（PWM）电路中。
3. 传感器接口：在传感器电路中，该晶体管可用于信号放大和开关控制，确保精确的信号处理和稳定的输出。
4. 便携式电子设备：采用SOT-23封装的LMBT5087LT1G具备紧凑的尺寸，非常适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的便携式电子产品。
5. 工业和汽车电子：由于其宽广的工作温度范围和高可靠性，LMBT5087LT1G在工业控制系统、汽车电子模块和恶劣环境下的应用中表现出色。
MMBT5087LT1G, BCX56-10, 2N3904
