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IRFP250 发布时间 时间:2025/7/16 12:45:34 查看 阅读:6

IRFP250是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由Infineon Technologies(前身为International Rectifier)制造。这款器件专为高频开关应用而设计,广泛应用于电源、电机控制和音频放大器等领域。
  IRFP250的结构基于垂直DMOS技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其出色的性能使其成为许多高功率电路的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  最大漏极电流:27A
  栅源开启电压:4V
  导通电阻:0.18Ω
  最大功耗:160W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFP250具备以下主要特性:
  1. 高电流处理能力:该器件可以承受高达27A的连续漏极电流,非常适合大功率应用。
  2. 低导通电阻:其典型导通电阻为0.18Ω,能够显著降低导通损耗。
  3. 快速开关速度:得益于较低的输入和输出电荷,IRFP250支持高频操作,适合开关电源和其他高频电路。
  4. 高可靠性:经过优化的热设计和坚固的封装使其能够在恶劣环境下稳定工作。
  5. 热稳定性强:允许的工作结温范围为-55℃至175℃,适应宽泛的温度条件。
  这些特性使得IRFP250在众多高效率功率转换应用中表现出色。

应用

IRFP250的主要应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS):由于其快速开关特性和低导通电阻,非常适合用于高效能开关电源。
  2. 电机驱动:在工业控制领域,可用于驱动直流电机或步进电机。
  3. 音频放大器:可作为功率级器件,在音频设备中提供高保真输出。
  4. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的电力转换系统中发挥关键作用。
  5. 电池充电器:用作开关元件,实现高效的充电管理。
  总之,IRFP250适用于需要高电流、高效率和快速开关的所有功率转换场景。

替代型号

IRFP260N, IRFZ44N, STP20NF10

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IRFP250参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2970pF @ 25V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件