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IRF7467TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 9:03:51 查看 阅读:16

IRF7467TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TO-252封装形式。该器件由Vishay公司生产,专为高频开关应用而设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适用于各种功率转换电路,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机驱动等场景。
  该MOSFET具有出色的电气性能和可靠性,在高频率和高效能应用中表现优异。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:9mΩ
  栅极电荷:18nC
  总电容:200pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF7467TRPBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为9mΩ,从而减少了导通损耗并提高了整体效率。
  2. 快速开关能力,其低栅极电荷和输出电容确保了高频操作下的高效性能。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 小型表面贴装TO-252封装,节省PCB空间并适合自动化装配工艺。
  5. 工作结温范围宽广,从-55℃到+175℃,适应极端环境的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅制造。

应用

IRF7467TRPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流功能。
  2. DC-DC转换器,用于降压或升压拓扑结构。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护。
  4. 电动工具和小型家电中的电机驱动控制。
  5. 各类工业设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理单元。

替代型号

IRF7407TRPBF, IRF7466TRPBF

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IRF7467TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2530pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7467TRPBF-NDIRF7467TRPBFTR