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RSH140N03TB 发布时间 时间:2025/6/17 0:07:57 查看 阅读:4

RSH140N03TB 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效功率切换的场景。其低导通电阻和高开关速度使其成为许多功率应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏电流:140A
  最大栅极源极电压:±20V
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗:175W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

RSH140N03TB 具有较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。此外,其具备较高的电流承载能力,可以满足大功率应用场景的需求。同时,它还具有快速开关性能,从而降低开关损耗。
  这款 MOSFET 的封装设计确保了良好的散热性能,并且在高频应用中表现出色。另外,其坚固的设计使其能够在极端环境条件下稳定运行,例如高温或低温场景。

应用

RSH140N03TB 常用于各种功率转换和控制电路中,包括但不限于以下应用:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 电机驱动
  - 工业自动化设备中的负载开关
  - DC-DC 转换器
  - 电池管理系统 (BMS)
  - 照明驱动器,如 LED 驱动电路

替代型号

RFP30N06LE
  IRLR7843PBF
  STP150N3LL
  FDP15N30E

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