时间：2025/6/25 20:57:01
阅读：6
AOD1R4A70是一款基于先进的氮化镓（GaN）技术的增强型功率场效应晶体管（eGaN FET）。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点，适用于高频电源转换应用。其设计优化了热性能和电气性能，能够在高频工作条件下保持高效和稳定。
AOD1R4A70的主要目标市场包括数据中心电源、通信设备、工业电源以及可再生能源系统等，特别适合需要高性能和高效率的DC-DC转换器、图腾柱PFC以及其他高频开关电路。
最大漏源电压：700V
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷（Qg）：25nC
连续漏极电流：36A
开关频率：高达5MHz
结温范围：-55℃至+175℃
AOD1R4A70采用了氮化镓材料，具有卓越的电气性能和热性能。与传统的硅基MOSFET相比，它在高频开关条件下表现出更低的损耗和更高的效率。以下是该器件的主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在大电流应用中实现高效的能量转换。
2. 高开关速度，支持高达5MHz的工作频率，非常适合高频电源转换应用。
3. 减少了寄生电感和电容的影响，进一步提高了系统的效率。
4. 提供强大的热管理能力，能够承受高温环境下的持续运行。
5. 内部结构经过优化，具备优异的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
AOD1R4A70适用于多种高频、高效率的电力电子应用场景，具体包括：
1. 数据中心和服务器电源中的高频DC-DC转换器。
2. 通信基站中的功率变换模块。
3. 工业设备中的AC-DC和DC-DC电源转换器。
4. 图腾柱无桥功率因数校正（PFC）电路。
5. 可再生能源系统中的逆变器和整流器。
6和其他消费类电子产品的电源模块。
由于其高频性能和高效率，该器件特别适合要求紧凑设计和轻量化解决方案的应用场景。
AOD1R8A70, AOD1R2A70
