时间：2025/8/5 21:41:14
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IXBL64N250是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流MOSFET功率晶体管，专为高效率和高可靠性要求的应用而设计。该器件采用TO-264封装形式，具备良好的热性能和电气性能，适用于需要高电压和大电流承载能力的工业控制、电源转换以及电机驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDS）：250V
最大漏极电流（ID）：64A
最大功率耗散（PD）：320W
栅极电压范围：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
IXBL64N250具有低导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高效率。
其高电流承载能力和高电压耐受特性使其适用于高功率应用。
采用TO-264封装，具备良好的散热性能，确保长时间工作的稳定性。
内置快速恢复二极管，能够满足高频开关的需求。
此外，该器件还具有优异的抗雪崩击穿能力，提高了器件的可靠性。
由于其低栅极电荷特性，IXBL64N250在高频应用中表现优异，降低了开关损耗。
整体设计确保了在严苛工作环境下的稳定性和耐用性。
IXBL64N250广泛应用于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机控制器、DC-DC转换器以及高功率LED照明系统等场景。
由于其高性能特性，该器件也常用于汽车电子、工业自动化设备及电力管理系统中。
此外，它还可用于高频开关电源设计，以提高系统的整体效率和稳定性。
IXFH64N250, IRFP460A, IXYS IXGN64N250T
