型号：RSH100N03TB1
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）@25°C：100A
　　导通电阻RDS(on)（max）@VGS=10V：4.6mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@VGS=4.5V：6.8mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：约3800pF
　　输出电容（Coss）：约900pF
　　反向恢复时间（trr）：约18ns
　　栅极电荷（Qg）：约60nC
　　封装形式：PowerPAK SO-8L
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　是否符合RoHS：是
　　是否通过AEC-Q101认证：是

RSH100N03TB1的核心优势在于其超低导通电阻与出色的动态性能相结合，使其成为高效电源系统中的理想选择。该器件在VGS=10V时RDS(on)典型值仅为4.6mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流持续工作的应用场景，如服务器电源、通信设备和电动车辆中的DC-DC模块。同时，由于采用了先进的沟槽结构设计，器件内部的载流子迁移效率更高，进一步提升了电流处理能力并减少了热积累。
　　在开关特性方面，RSH100N03TB1表现出较低的总栅极电荷（Qg≈60nC）和米勒电容（Crss），这意味着在高频切换操作中所需的驱动功率更少，有利于提高系统整体效率并简化栅极驱动电路的设计。此外，其输出电容（Coss）较小，有助于降低关断过程中的能量损耗，尤其在软开关拓扑如LLC谐振转换器中展现出优越性能。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和稳健的热稳定性。其最大工作结温可达+175°C，确保在高温环境下仍能安全运行。集成的片上散热焊盘通过PCB背面接地层实现高效散热，增强了长期工作的可靠性。得益于PowerPAK SO-8L封装的小尺寸与优良热阻特性（θJC ≈ 1.5°C/W），该器件可在紧凑型布局中实现高性能功率控制，非常适合对空间敏感的设计。
　　另一个关键特性是其通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击等多项严苛验证，表明其能够在振动频繁、温差剧烈的汽车环境中稳定工作。这一认证扩展了其应用边界，使其不仅限于工业领域，还可广泛用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）电源管理单元及新能源汽车的动力电池监控电路中。

RSH100N03TB1主要应用于需要高电流密度和高效率的电源管理系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，尤其是在多相供电架构的CPU/GPU供电模块中，多个此类MOSFET并联使用可提供数百安培级别的输出电流，同时保持低功耗与良好热分布。它也广泛用于服务器主板、网络交换机和基站电源等通信基础设施设备中，作为主开关管或整流管以提升能效等级。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于快充适配器、笔记本电脑电源板以及高端显卡的VRM（电压调节模块），因其低RDS(on)可减少发热，提高功率密度。此外，在工业自动化设备、PLC控制器和电机驱动器中，RSH100N03TB1可用于H桥或半桥拓扑中的开关元件，实现精确的电机速度与方向控制。
　　最为重要的是，由于其通过AEC-Q101认证，RSH100N03TB1被广泛应用于汽车电子系统。例如，在车载OBC（车载充电机）、DC-DC转换器、EPS（电动助力转向）系统以及电池管理系统（BMS）中，用于实现高效的能量传输与分配。其高可靠性和耐久性确保在复杂电磁环境和极端温度变化下依然稳定运行，满足汽车行业对功能安全的高标准要求。

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　　 "RSH100N03T0",
　　 "IPD95R03C11",
　　 "SQJ974EP-T1-GE3",
　　 "FDMS8878",
　　 "IRLHS6296"
　　]