时间：2025/8/15 9:59:36
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RF5616SQ 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高功率射频（RF）晶体管，广泛应用于射频放大器和发射器系统中。该器件是一款N沟道增强型横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为高频、高效率和高线性度应用而设计。RF5616SQ支持在2GHz以下频率范围内工作，适用于无线基础设施、蜂窝基站、广播设备以及其他高性能射频系统。
类型：N沟道LDMOS射频晶体管
工作频率：DC至2GHz
漏极电压（VD）：最大65V
漏极电流（ID）：连续最大1.8A
输出功率：典型值为60W
增益：典型23dB
封装类型：表面贴装（SOT-89）
输入阻抗：50Ω
工作温度范围：-65°C至+150°C
RF5616SQ具备高输出功率和优异的线性度，使其成为无线通信系统中关键的放大元件。该器件采用先进的LDMOS工艺制造，具有较高的热稳定性和较低的热阻，能够在高功率条件下长时间稳定工作。
其高增益特性减少了前级放大器的设计复杂度，同时保持了良好的信号保真度和低失真性能。此外，RF5616SQ采用SOT-89封装，具有良好的散热性能，便于在紧凑型设计中使用，同时兼容表面贴装工艺，提高生产效率。
该器件还具有良好的抗失配能力和较高的耐用性，能够承受一定的负载失配而不损坏，提高了系统的可靠性。RF5616SQ通常用于CDMA、WCDMA、WiMAX、DVB-T、DAB等无线通信标准的发射系统中。
RF5616SQ主要应用于蜂窝基站、无线接入点、广播发射机、测试设备、射频放大模块等高频高功率场景。其在无线基础设施中用于功率放大器级，提供高线性度和高效率的信号放大。此外，该器件也广泛用于工业和科学仪器中的射频能量传输系统。
FQA13N60C, RF5617SQ, RF5615SQ
