FMI12N50E 时间：2025/8/9 10:00:58 阅读：32

FMI12N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产。该器件具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力的特点，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能功率开关的电路中。FMI12N50E采用了先进的平面技术，确保了优异的性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

FMI12N50E具备多项优异的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源电压能力，使得该器件适用于高压环境，如电源适配器和工业电源系统。其次，FMI12N50E的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.4Ω，较低的导通电阻可以显著减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，FMI12N50E具有较高的栅极阈值电压（Vgs(th)），通常在2V~4V之间，这使得它在常见的逻辑电平控制电路中能够稳定工作。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，并能够在高频工作条件下保持稳定性能。其热阻较低，能够在较高的工作温度下维持稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。

应用

FMI12N50E广泛应用于多种功率电子设备中，尤其是在需要高效、高压和高电流处理能力的场合。例如，它常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，适用于AC-DC转换器和DC-DC转换器。同时，FMI12N50E也可用于电机驱动、UPS（不间断电源）、逆变器、LED照明驱动电源以及工业自动化控制系统中的功率开关部分。
　　由于其优异的导通和开关性能，FMI12N50E也适用于电池管理系统（BMS）、电动车充电器以及太阳能逆变器等新能源应用领域。此外，该器件在消费类电子产品中也有广泛应用，如电源适配器、充电器和节能灯具等。