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FDS6930B-NL 发布时间 时间:2025/3/19 18:03:04 查看 阅读:16

FDS6930B-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产。该器件采用 SO-8 封装形式,适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。它广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。
  FDS6930B-NL 的主要特点是其较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高频开关应用中提供出色的性能表现。同时,它具有良好的热稳定性和耐用性,能够适应各种恶劣的工作环境。

参数

型号:FDS6930B-NL
  封装:SO-8 (PowerTrench)
  漏源极击穿电压 (Vds):40 V
  连续漏极电流 (Id):15 A
  导通电阻 (Rds(on)):7 mΩ @ Vgs = 10 V
  栅极电荷 (Qg):11 nC
  输入电容 (Ciss):2330 pF
  最大工作结温 (Tj):150 °C

特性

1. 低导通电阻 (Rds(on)):7 mΩ,可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关性能:栅极电荷仅为 11 nC,使得 FDS6930B-NL 在高频开关应用中表现出色。
  3. 高电流处理能力:支持高达 15 A 的连续漏极电流,适用于大功率应用场合。
  4. 紧凑的 SO-8 封装:有助于节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。
  5. 宽工作温度范围:最高结温可达 150°C,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 具备优异的 ESD 和雪崩保护能力,提高系统的可靠性和耐用性。

应用

1. 开关电源 (SMPS):作为主开关管或同步整流管使用,提升转换效率。
  2. DC-DC 转换器:适用于降压、升压及升降压拓扑结构。
  3. 负载开关:用于 USB 充电器、适配器和其他便携式设备中的负载管理。
  4. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的运行状态。
  5. 工业控制:如工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
  6. 汽车电子:适用于非关键车载电子设备的电源管理部分。

替代型号

1. FDP5802:同样为 N 沟道 MOSFET,具有类似的导通电阻和封装形式。
  2. IRF7404:Infineon 生产的低 Rds(on) MOSFET,适合高频开关应用。
  3. AO4402:Alpha & Omega 推出的高性能 MOSFET,与 FDS6930B-NL 性能接近。
  4. SI4460DY:Vishay 提供的小型化 MOSFET 替代方案,适用于对空间要求较高的设计。
  注意:在选择替代型号时,请务必仔细核对其电气参数和封装是否满足具体应用需求。

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