时间：2025/4/29 18:27:17
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CBG201209U221T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和无线充电设备中。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具备卓越的开关速度和低导通电阻特性，从而显著提升系统效率并减小整体解决方案尺寸。
其封装形式为紧凑型表面贴装设计，适用于高密度电路板布局，同时具备出色的热性能以支持更高功率的应用场景。
型号：CBG201209U221T
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
封装：UQFN
最大漏源电压 (Vds)：200 V
最大栅极电压 (Vgs)：±8 V
持续漏极电流 (Id)：9 A
导通电阻 (Rds(on))：22 mΩ
栅极电荷 (Qg)：35 nC
开关频率：高达 5 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
CBG201209U221T 具备以下主要特性：
1. 高速开关能力：得益于 GaN 材料的独特属性，该晶体管具有超快的开关速度，可实现高达 5 MHz 的工作频率，大幅优于传统硅基 MOSFET。
2. 低导通电阻：仅 22 mΩ 的 Rds(on) 值有效降低了导通损耗，提升了整体效率。
3. 小型化设计：紧凑型 UQFN 封装使其非常适合空间受限的设计环境，同时优化了 PCB 布局。
4. 热性能优异：通过优化封装结构，CBG201209U221T 可在高功率密度应用中保持良好的散热性能。
5. 高可靠性：经过严格测试验证，确保器件能够在宽广的工作温度范围内稳定运行。
CBG201209U221T 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器
- 图形卡和服务器电源模块
2. 快速充电设备：
- USB-PD 控制器配套使用
- 移动设备充电适配器
3. 无线充电系统：
- 提升无线传输效率
- 减少发热问题
4. 激光雷达 (LiDAR)：
- 高速脉冲驱动
- 精确测距与成像
5. 电机驱动与控制：
- 无刷直流电机控制器
- 家用电器中的智能驱动单元
CGH2009A, TPH2610WS, EPC2020
