OZ9960ISN 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)设计的 DDR SDRAM 控制器芯片,主要用于工业和嵌入式系统中提供内存控制功能。该芯片支持 DDR SDRAM 接口,为需要高性能存储接口的系统提供了高效的解决方案。
类型:DDR SDRAM 控制器
封装:TQFP-100
电源电压:3.3V
接口类型:并行接口
最大时钟频率:133MHz
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储器类型支持:DDR SDRAM
数据总线宽度:32 位
控制功能:支持内存刷新、地址和数据多路复用控制
OZ9960ISN 芯片具有多个关键特性,使其非常适合工业和嵌入式应用。首先,它支持 DDR SDRAM 内存标准,提供高速数据传输能力,最高时钟频率可达 133MHz,从而显著提高系统的数据处理能力。其次,该芯片采用 100 引脚 TQFP 封装,体积小且易于集成到紧凑的 PCB 设计中。
其电源电压为 3.3V,降低了功耗并提高了系统稳定性,适用于长时间运行的工业设备。此外,OZ9960ISN 支持 32 位数据总线宽度,为系统提供宽广的数据通道,提升整体内存访问效率。
该芯片还集成了多种控制功能,包括内存刷新机制、地址和数据多路复用管理,确保 DDR SDRAM 的可靠运行。同时,其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级环境适应性要求,适用于各种恶劣工作条件下的设备。
OZ9960ISN 被广泛应用于需要 DDR SDRAM 控制功能的嵌入式系统和工业设备,如工业计算机、数据采集系统、自动化控制设备以及视频处理设备。此外,它也适用于通信设备、网络路由器和交换机等需要高性能内存管理的场合。
由于其高集成度和稳定的性能,OZ9960ISN 也常用于开发评估板和原型设计中,为开发人员提供可靠的 DDR 内存控制方案。在需要长时间运行和稳定数据存储的系统中,该芯片的可靠性尤为突出。
OZ9960ISN 的替代型号包括 OZ9960DSN 和 OZ9960ISN-T。