时间：2025/6/7 14:47:27
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RSD050N10TL 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于需要高效率、低导通损耗和快速开关性能的场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和良好的热特性，适合用于电源管理、电机驱动以及各种工业应用中。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220，便于散热设计，同时具备较高的电流承载能力与耐压性能，能够满足多种复杂电路需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷（典型值）：63nC
总电容（输入电容）：1470pF
开关时间（典型值，开启）：92ns
开关时间（典型值，关闭）：45ns
功耗：100W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度有助于减少开关损耗，并支持高频操作。
3. 较高的雪崩击穿能量 (EAS) 和鲁棒性，使其能够在严苛条件下稳定运行。
4. 热稳定性良好，即使在极端温度环境下也能保持性能一致性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 高可靠性设计，适用于工业级应用场景。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 逆变器及 UPS 系统的关键功率处理部件。
6. 各种大功率电子设备中的保护开关或切换开关。
RSD050N10TLD, IRFZ44N, FDP057N10L
