时间：2025/8/6 5:50:28
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IXBH20N360HV是一款高压高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高耐压和高电流能力的应用设计。这款器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和更高的效率。其额定电压为360V，额定电流为20A，适合用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。IXBH20N360HV具有良好的热稳定性和可靠性，能够在苛刻的工作条件下长时间运行。
类型：MOSFET
结构：N沟道
最大漏源电压(Vds)：360V
最大漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.25Ω
最大功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXBH20N360HV具有多项优异的电气和机械特性。首先，其高电压耐受能力使其适用于高压电源转换器和逆变器设计。其次，低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小了外部元件的尺寸和重量。IXBH20N360HV还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。最后，该器件的封装设计有助于散热，确保了在高功率应用中的稳定性。
IXBH20N360HV广泛应用于多种高功率和高电压场合。常见的应用包括工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器、电焊机和太阳能逆变器等。在这些应用中，IXBH20N360HV能够提供高效的功率转换和稳定的性能。此外，它还可以用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统和消费类电子产品中。
IXFH20N360P, IXTH20N360HV
